VF30100C-M3/4W-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
VF30100C-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为100V。 其典型正向压降VF为0.82V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为100μA, 体现出良好的阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
38
货期
现货
VF30100C-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 38 |
VF30100C-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流IF为30A, 最大反向电压VR为100V。 其典型正向压降VF为0.82V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为100μA, 体现出良好的阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步续流的电路拓扑中。
VF30100C-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
VF30100C-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
