VF20202G-M3/4W-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
VF20202G-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在最大反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达175A。 此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路, 有助于提升效率并简化PCB布局。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
VF20202G-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VF20202G-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在最大反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达175A。 此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路, 有助于提升效率并简化PCB布局。
VF20202G-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
VF20202G-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
