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VF20202G-M3/4W-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

VF20202G-M3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在最大反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达175A。 此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路, 有助于提升效率并简化PCB布局。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

48

货期

现货

VF20202G-M3/4W-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

VF20202G-M3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在最大反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达175A。 此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路, 有助于提升效率并简化PCB布局。

VF20202G-M3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

VF20202G-M3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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