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VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

VESD12C1-HD1-G3-08-HXY

这款静电和浪涌保护器件, 属于TVS/ESD保护类别, 具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能在瞬间过压事件中提供有效防护。 其反向工作电压VRWM为12V, 确保在正常操作电压下保持非导通状态, 同时避免了不必要的触发。 电容CJ为28皮法, 适用于对电容敏感度较低的应用场景, 能够在不影响信号质量的情况下提供保护。 采用单通道LINE设计, 并且是Uni单向类型, 使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路, 如消费电子产品中的数据传输线或通信端口, 确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

40

货期

现货

VESD12C1-HD1-G3-08-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

VESD12C1-HD1-G3-08-HXY概述

这款静电和浪涌保护器件, 属于TVS/ESD保护类别, 具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能在瞬间过压事件中提供有效防护。 其反向工作电压VRWM为12V, 确保在正常操作电压下保持非导通状态, 同时避免了不必要的触发。 电容CJ为28皮法, 适用于对电容敏感度较低的应用场景, 能够在不影响信号质量的情况下提供保护。 采用单通道LINE设计, 并且是Uni单向类型, 使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路, 如消费电子产品中的数据传输线或通信端口, 确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。

VESD12C1-HD1-G3-08-HXY特性

暂无产品特性。

VESD12C1-HD1-G3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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