VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
这款静电和浪涌保护器件, 属于TVS/ESD保护类别, 具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能在瞬间过压事件中提供有效防护。 其反向工作电压VRWM为12V, 确保在正常操作电压下保持非导通状态, 同时避免了不必要的触发。 电容CJ为28皮法, 适用于对电容敏感度较低的应用场景, 能够在不影响信号质量的情况下提供保护。 采用单通道LINE设计, 并且是Uni单向类型, 使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路, 如消费电子产品中的数据传输线或通信端口, 确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
VESD12C1-HD1-G3-08-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
VESD12C1-HD1-G3-08-HXY概述
这款静电和浪涌保护器件, 属于TVS/ESD保护类别, 具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能在瞬间过压事件中提供有效防护。 其反向工作电压VRWM为12V, 确保在正常操作电压下保持非导通状态, 同时避免了不必要的触发。 电容CJ为28皮法, 适用于对电容敏感度较低的应用场景, 能够在不影响信号质量的情况下提供保护。 采用单通道LINE设计, 并且是Uni单向类型, 使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路, 如消费电子产品中的数据传输线或通信端口, 确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。
VESD12C1-HD1-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
VESD12C1-HD1-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
