VESD05C1-02V-G3-08-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
VESD05C1-02V-G3-08-HXY
此款静电和浪涌保护器件, 适用于各类电子设备的防护。 其单向(Uni-directional)设计针对特定方向的过电压事件提供保护。 该器件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适合用于低电压电路环境。 在面对瞬态电压时, 它能够承受高达9.4A的峰值脉冲电流(IPP), 确保有效抵御突然的电涌冲击。 此外, 器件的结电容(CJ)为80皮法(pF), 在保持信号完整性的同时, 适应需要一定电容值的应用场景。 1通道的配置简化了安装与集成, 是保护敏感电子线路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
400
货期
现货
VESD05C1-02V-G3-08-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 400 |
VESD05C1-02V-G3-08-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件, 适用于各类电子设备的防护。 其单向(Uni-directional)设计针对特定方向的过电压事件提供保护。 该器件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适合用于低电压电路环境。 在面对瞬态电压时, 它能够承受高达9.4A的峰值脉冲电流(IPP), 确保有效抵御突然的电涌冲击。 此外, 器件的结电容(CJ)为80皮法(pF), 在保持信号完整性的同时, 适应需要一定电容值的应用场景。 1通道的配置简化了安装与集成, 是保护敏感电子线路的理想选择。
VESD05C1-02V-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
VESD05C1-02V-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
