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VESD05C1-02V-G3-08-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

VESD05C1-02V-G3-08-HXY

此款静电和浪涌保护器件, 适用于各类电子设备的防护。 其单向(Uni-directional)设计针对特定方向的过电压事件提供保护。 该器件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适合用于低电压电路环境。 在面对瞬态电压时, 它能够承受高达9.4A的峰值脉冲电流(IPP), 确保有效抵御突然的电涌冲击。 此外, 器件的结电容(CJ)为80皮法(pF), 在保持信号完整性的同时, 适应需要一定电容值的应用场景。 1通道的配置简化了安装与集成, 是保护敏感电子线路的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

400

货期

现货

VESD05C1-02V-G3-08-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存400

VESD05C1-02V-G3-08-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件, 适用于各类电子设备的防护。 其单向(Uni-directional)设计针对特定方向的过电压事件提供保护。 该器件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适合用于低电压电路环境。 在面对瞬态电压时, 它能够承受高达9.4A的峰值脉冲电流(IPP), 确保有效抵御突然的电涌冲击。 此外, 器件的结电容(CJ)为80皮法(pF), 在保持信号完整性的同时, 适应需要一定电容值的应用场景。 1通道的配置简化了安装与集成, 是保护敏感电子线路的理想选择。

VESD05C1-02V-G3-08-HXY特性

暂无产品特性。

VESD05C1-02V-G3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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