VESD05A1B-HD1-GS08
IC
LLP1006-2L
可供量大可议
VESD05A1B-HD1-GS08
特性：超紧凑LLP1006-2L封装。 低封装高度 < 0.4mm。 1线ESD保护。 低泄漏电流 < 0.1μA。 低负载电容 CD = 12pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ± 30kV接触放电， ± 30kV空气放电。 高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3A。 可通过标准视觉检查进行焊接检查， 无需X射线。 引脚镀NiPdAu (e4)， 无晶须生长。 e4-贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
品牌
VISHAY
封装
LLP1006-2L
库存
115
货期
现货
VESD05A1B-HD1-GS08参数
| 封装 | LLP1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
VESD05A1B-HD1-GS08概述
特性：超紧凑LLP1006-2L封装。 低封装高度 < 0.4mm。 1线ESD保护。 低泄漏电流 < 0.1μA。 低负载电容 CD = 12pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ± 30kV接触放电， ± 30kV空气放电。 高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3A。 可通过标准视觉检查进行焊接检查， 无需X射线。 引脚镀NiPdAu (e4)， 无晶须生长。 e4-贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
VESD05A1B-HD1-GS08特性
暂无产品特性。
VESD05A1B-HD1-GS08应用领域
暂无应用领域。