VESD03A1B-HD1-GS08
IC
SOD-882
可供量大可议
VESD03A1B-HD1-GS08
特性：超紧凑LLP1006-2L封装。 低封装高度 < 0.4mm。 1线ESD保护。 低泄漏电流 < 0.5μA。 低负载电容 CD = 15pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ±30kV接触放电， ±30kV空气放电。 高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3.5A。 可通过标准视觉检查进行焊接检查， 无需X射线。 引脚镀NiPdAu (e4)， 无晶须生长。 e4贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
品牌
VISHAY
封装
SOD-882
库存
5,270
货期
现货
VESD03A1B-HD1-GS08参数
| 封装 | SOD-882 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5270 |
VESD03A1B-HD1-GS08概述
特性：超紧凑LLP1006-2L封装。 低封装高度 < 0.4mm。 1线ESD保护。 低泄漏电流 < 0.5μA。 低负载电容 CD = 15pF (VR = 2.5V; f = 1MHz)。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2 ±30kV接触放电， ±30kV空气放电。 高浪涌电流符合IEC 61000-4-5 IPP > 3.5A。 可通过标准视觉检查进行焊接检查， 无需X射线。 引脚镀NiPdAu (e4)， 无晶须生长。 e4贵金属（如Ag、Au、NiPd、NiPdAu）（无Sn）
VESD03A1B-HD1-GS08特性
暂无产品特性。
VESD03A1B-HD1-GS08应用领域
暂无应用领域。