VBZMB18N50
IC
TO-220F
可供量大可议
VBZMB18N50
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Plannar技术制造。 适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。 TO220F； N—Channel沟道, 550V； 18A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
16
货期
现货
VBZMB18N50参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
VBZMB18N50概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N场效应管， 采用Plannar技术制造。 适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。 TO220F； N—Channel沟道, 550V； 18A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBZMB18N50特性
暂无产品特性。
VBZMB18N50应用领域
暂无应用领域。