VBZMB13N50
IC
TO-220F
可供量大可议
VBZMB13N50
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构的低功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于多种电子领域和模块。 TO220F； N—Channel沟道, 500V； 13A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
100
货期
现货
VBZMB13N50参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
VBZMB13N50概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构的低功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于多种电子领域和模块。 TO220F； N—Channel沟道, 500V； 13A； RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBZMB13N50特性
暂无产品特性。
VBZMB13N50应用领域
暂无应用领域。