VBZM630
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBZM630
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFE， 采用Trench工艺， 适用于各种低功耗和中功率应用。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
80
货期
现货
VBZM630参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
VBZM630概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFE， 采用Trench工艺， 适用于各种低功耗和中功率应用。 TO220； N—Channel沟道, 200V； 10A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBZM630特性
暂无产品特性。
VBZM630应用领域
暂无应用领域。