VBZM50N06
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBZM50N06
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 具有适中的电压容限和漏极电流， 采用Trench工艺， 适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 60V； 60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
10
货期
现货
VBZM50N06参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBZM50N06概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 具有适中的电压容限和漏极电流， 采用Trench工艺， 适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 60V； 60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBZM50N06特性
暂无产品特性。
VBZM50N06应用领域
暂无应用领域。