VBZM20N65S
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBZM20N65S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET型号， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
19
货期
现货
VBZM20N65S参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
VBZM20N65S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET型号， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBZM20N65S特性
暂无产品特性。
VBZM20N65S应用领域
暂无应用领域。