VBZM13N50
IC
TO-220AB
可供量大可议
VBZM13N50
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构的功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 500V； 13A； RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
59
货期
现货
VBZM13N50参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
VBZM13N50概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构的功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。 TO220； N—Channel沟道, 500V； 13A； RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBZM13N50特性
暂无产品特性。
VBZM13N50应用领域
暂无应用领域。