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VBZFB12P10
IC

TO-251

可供量大可议

VBZFB12P10

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型场效应管, 采用Trench技术, 适用于广泛的领域和模块, 包括电源管理、电路保护、电动工具、LED驱动和汽车电子等, 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。 TO251; P—Channel沟道, -100V; -12A; RDS(ON)=215mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

77

货期

现货

VBZFB12P10参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存77

VBZFB12P10概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型场效应管, 采用Trench技术, 适用于广泛的领域和模块, 包括电源管理、电路保护、电动工具、LED驱动和汽车电子等, 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。 TO251; P—Channel沟道, -100V; -12A; RDS(ON)=215mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

VBZFB12P10特性

暂无产品特性。

VBZFB12P10应用领域

暂无应用领域。

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