VBZFB10N20
IC
TO-251
可供量大可议
VBZFB10N20
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 200V； 8A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
8
货期
现货
VBZFB10N20参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
VBZFB10N20概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。 TO251； N—Channel沟道, 200V； 8A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBZFB10N20特性
暂无产品特性。
VBZFB10N20应用领域
暂无应用领域。