VBZFB06N02
IC
TO-251
可供量大可议
VBZFB06N02
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 具有高性能、低损耗和稳定性的特点， 适用于各种高功率和高频率控制的场合， 能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。 TO251； N—Channel沟道, 30V； 100A； RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
63
货期
现货
VBZFB06N02参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 63 |
VBZFB06N02概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 具有高性能、低损耗和稳定性的特点， 适用于各种高功率和高频率控制的场合， 能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。 TO251； N—Channel沟道, 30V； 100A； RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
VBZFB06N02特性
暂无产品特性。
VBZFB06N02应用领域
暂无应用领域。