VBZE80N06
IC
TO-252
可供量大可议
VBZE80N06
TO252； N—Channel沟道, 60V； 100A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
3
货期
现货
VBZE80N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
VBZE80N06概述
TO252； N—Channel沟道, 60V； 100A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
VBZE80N06特性
暂无产品特性。
VBZE80N06应用领域
暂无应用领域。