VBZE60N02
IC
TO-252
可供量大可议
VBZE60N02
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。 TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
130
货期
现货
VBZE60N02参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
VBZE60N02概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。 TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
VBZE60N02特性
暂无产品特性。
VBZE60N02应用领域
暂无应用领域。