VBZE100N02
IC
TO-252
可供量大可议
VBZE100N02
TO252； N—Channel沟道, 20V； 120A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=±20V； Vth=0.5~1V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
40
货期
现货
VBZE100N02参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
VBZE100N02概述
TO252； N—Channel沟道, 20V； 120A； RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=±20V； Vth=0.5~1V
VBZE100N02特性
暂无产品特性。
VBZE100N02应用领域
暂无应用领域。