VBZE06N03
IC
TO-252-2
可供量大可议
VBZE06N03
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。 TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252-2
库存
17
货期
现货
VBZE06N03参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
VBZE06N03概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。 TO252； N—Channel沟道, 20V； 100A； RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=15V； Vth=0.5~1.5V
VBZE06N03特性
暂无产品特性。
VBZE06N03应用领域
暂无应用领域。