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VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY

这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别, 采用Bi双向设计, 提供单通道保护。 它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力, 适用于应对突发的电压浪涌。 其工作电压(VRWM)为3.3V, 确保在常规操作电压下保持断开状态, 同时能在异常电压出现时迅速响应。 该器件的电容值(CJ)仅为0.3pF, 对信号的影响几乎可以忽略不计, 非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。 它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响, 保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

60

货期

现货

VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存60

VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY概述

这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别, 采用Bi双向设计, 提供单通道保护。 它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力, 适用于应对突发的电压浪涌。 其工作电压(VRWM)为3.3V, 确保在常规操作电压下保持断开状态, 同时能在异常电压出现时迅速响应。 该器件的电容值(CJ)仅为0.3pF, 对信号的影响几乎可以忽略不计, 非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。 它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响, 保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。

VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY特性

暂无产品特性。

VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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