VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别, 采用Bi双向设计, 提供单通道保护。 它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力, 适用于应对突发的电压浪涌。 其工作电压(VRWM)为3.3V, 确保在常规操作电压下保持断开状态, 同时能在异常电压出现时迅速响应。 该器件的电容值(CJ)仅为0.3pF, 对信号的影响几乎可以忽略不计, 非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。 它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响, 保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
60
货期
现货
VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY概述
这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别, 采用Bi双向设计, 提供单通道保护。 它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力, 适用于应对突发的电压浪涌。 其工作电压(VRWM)为3.3V, 确保在常规操作电压下保持断开状态, 同时能在异常电压出现时迅速响应。 该器件的电容值(CJ)仅为0.3pF, 对信号的影响几乎可以忽略不计, 非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。 它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响, 保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。
VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
