VBT3045BP-E3/8W
IC
TO-263AB(D2PAK)
可供量大可议
VBT3045BP-E3/8W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 符合J-STD-020标准的MSL 1级， LF最大峰值为245℃。 太阳能旁路应用中， 最大结温Tj为200℃。 符合RoHS标准。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
品牌
VISHAY
封装
TO-263AB(D2PAK)
库存
1,048
货期
现货
VBT3045BP-E3/8W参数
| 封装 | TO-263AB(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1048 |
VBT3045BP-E3/8W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 符合J-STD-020标准的MSL 1级， LF最大峰值为245℃。 太阳能旁路应用中， 最大结温Tj为200℃。 符合RoHS标准。 应用：用于太阳能电池接线盒， 作为旁路二极管进行保护， 使用无反向偏置的直流正向电流
VBT3045BP-E3/8W特性
暂无产品特性。
VBT3045BP-E3/8W应用领域
暂无应用领域。