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VBT3045BP-E3/4W
IC

TO-263AB(D2PAK)

可供量大可议

VBT3045BP-E3/4W

特性:Trench MOS Schottky技术。 低正向压降, 低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值245℃。 在太阳能旁路应用中, 最高结温TJ = 200℃。 应用:用于太阳能电池接线盒, 作为旁路二极管进行保护, 使用无反向偏置的直流正向电流

Brand

VISHAY

Package

TO-263AB(D2PAK)

Stock

1

货期

现货

VBT3045BP-E3/4WParameters

封装TO-263AB(D2PAK)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存1

VBT3045BP-E3/4W概述

特性:Trench MOS Schottky技术。 低正向压降, 低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级, LF最大峰值245℃。 在太阳能旁路应用中, 最高结温TJ = 200℃。 应用:用于太阳能电池接线盒, 作为旁路二极管进行保护, 使用无反向偏置的直流正向电流

VBT3045BP-E3/4W特性

暂无产品特性。

VBT3045BP-E3/4W应用领域

暂无应用领域。

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