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VBQG2317
IC

DFN-6(2x2)

可供量大可议

VBQG2317

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于各种电路和模块, 特别适合在有限空间内进行功率控制。 QFN6(2X2); P—Channel沟道, -30V; -10A; RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.4~-1V

品牌

VBsemi

封装

DFN-6(2x2)

库存

20

货期

现货

VBQG2317参数

封装DFN-6(2x2)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

VBQG2317概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于各种电路和模块, 特别适合在有限空间内进行功率控制。 QFN6(2X2); P—Channel沟道, -30V; -10A; RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.4~-1V

VBQG2317特性

暂无产品特性。

VBQG2317应用领域

暂无应用领域。

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