VBQF4338
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
VBQF4338
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P+P型功率MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要高效功率控制的电路和模块。 DFN8(3X3)； 2个P—Channel沟道, -30V； -6.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
50
货期
现货
VBQF4338参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
VBQF4338概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双P+P型功率MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要高效功率控制的电路和模块。 DFN8(3X3)； 2个P—Channel沟道, -30V； -6.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBQF4338特性
暂无产品特性。
VBQF4338应用领域
暂无应用领域。