VBQF2625
IC
DFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
VBQF2625
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -60V； -36A； RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=-1~-2.5V； 是一款单P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8-EP(3x3)
库存
5
货期
现货
VBQF2625参数
| 封装 | DFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBQF2625概述
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -60V； -36A； RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=-1~-2.5V； 是一款单P型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。
VBQF2625特性
暂无产品特性。
VBQF2625应用领域
暂无应用领域。