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VBQF2412
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

VBQF2412

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种电源控制和开关应用。 QFN8(3X3); P—Channel沟道, -40V; -45A; RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.2~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(3x3)

库存

35

货期

现货

VBQF2412参数

封装DFN-8(3x3)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存35

VBQF2412概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种电源控制和开关应用。 QFN8(3X3); P—Channel沟道, -40V; -45A; RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.2~-2.5V

VBQF2412特性

暂无产品特性。

VBQF2412应用领域

暂无应用领域。

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