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VBQF2228
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

VBQF2228

QFN8(3X3); P—Channel沟道, -20V; -12A; RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.8~-1V; 是一款采用Trench技术单P沟道场效应晶体管, 适用于电源管理模块、信号放大模块等领域和模块。

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(3x3)

库存

50

货期

现货

VBQF2228参数

封装DFN-8(3x3)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

VBQF2228概述

QFN8(3X3); P—Channel沟道, -20V; -12A; RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=-0.8~-1V; 是一款采用Trench技术单P沟道场效应晶体管, 适用于电源管理模块、信号放大模块等领域和模块。

VBQF2228特性

暂无产品特性。

VBQF2228应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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