VBQF1615
自营可供
IC
DFN3x3-8
VBQF1615
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要中等功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 60V； 15A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
交期
现货
批次
—
VBQF1615参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:15A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
| 商品型号 | VBQF1615 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 7.9208e-05 |
VBQF1615概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要中等功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、LED照明模块和工业控制模块等领域。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 60V； 15A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBQF1615特性
- 结温175°C-沟槽功率MOSFET-材料分类:符合RoHS标准