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VBQF1306
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

VBQF1306

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型Trench技术的MOSFET, 可用于设计各种电源管理模块。 QFN8(3X3); N—Channel沟道, 30V; 40A; RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(3x3)

库存

10

货期

现货

VBQF1306参数

封装DFN-8(3x3)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

VBQF1306概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型Trench技术的MOSFET, 可用于设计各种电源管理模块。 QFN8(3X3); N—Channel沟道, 30V; 40A; RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

VBQF1306特性

暂无产品特性。

VBQF1306应用领域

暂无应用领域。

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