VBQF1101M
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
VBQF1101M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种应用场景。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 4A； RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
Brand
VBsemi
Package
DFN3x3-8
Stock
10
货期
现货
VBQF1101MParameters
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBQF1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种应用场景。 DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 4A； RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~3V
VBQF1101M特性
暂无产品特性。
VBQF1101M应用领域
暂无应用领域。