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VBQA1101N
IC

DFN5x6-8

可供量大可议

VBQA1101N

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域, 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 100V; 65A; RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=3~5V

品牌

VBsemi

封装

DFN5x6-8

库存

10

货期

现货

VBQA1101N参数

封装DFN5x6-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

VBQA1101N概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域, 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 100V; 65A; RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=3~5V

VBQA1101N特性

暂无产品特性。

VBQA1101N应用领域

暂无应用领域。

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