VBPB16R20S
IC
TO-3P
可供量大可议
VBPB16R20S
TO3P； N—Channel沟道, 600V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款N沟道场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于中低功率应用场合。
品牌
VBsemi
封装
TO-3P
库存
5
货期
现货
VBPB16R20S参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBPB16R20S概述
TO3P； N—Channel沟道, 600V； 20A； RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款N沟道场效应晶体管， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于中低功率应用场合。
VBPB16R20S特性
暂无产品特性。
VBPB16R20S应用领域
暂无应用领域。