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VBP16R20SE
IC

TO-247AC

可供量大可议

VBP16R20SE

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道; 600V; 20A; RDS(ON)=160(mΩ); VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

品牌

VBsemi

封装

TO-247AC

库存

5

货期

现货

VBP16R20SE参数

封装TO-247AC
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

VBP16R20SE概述

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道; 600V; 20A; RDS(ON)=160(mΩ); VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

VBP16R20SE特性

暂无产品特性。

VBP16R20SE应用领域

暂无应用领域。

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