VBP15R20S
IC
TO-247AC
可供量大可议
VBP15R20S
TO247； N—Channel沟道, 500V； 20A； RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用SJ_Multi-EPI技术高性能的单N沟道MOSFET， 适用于工业电源、电动汽车充电站等领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-247AC
库存
2
货期
现货
VBP15R20S参数
| 封装 | TO-247AC |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBP15R20S概述
TO247； N—Channel沟道, 500V； 20A； RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用SJ_Multi-EPI技术高性能的单N沟道MOSFET， 适用于工业电源、电动汽车充电站等领域和模块。
VBP15R20S特性
暂无产品特性。
VBP15R20S应用领域
暂无应用领域。