VBP1104N
IC
TO-247AC
可供量大可议
VBP1104N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。 TO247； N—Channel沟道, 100V； 85A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-247AC
库存
6
货期
现货
VBP1104N参数
| 封装 | TO-247AC |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
VBP1104N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。 TO247； N—Channel沟道, 100V； 85A； RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBP1104N特性
暂无产品特性。
VBP1104N应用领域
暂无应用领域。