VBNCB1303
IC
TO-262
可供量大可议
VBNCB1303
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFE， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。 TO262； N—Channel沟道, 30V； 90A； RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-262
库存
10
货期
现货
VBNCB1303参数
| 封装 | TO-262 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBNCB1303概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFE， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。 TO262； N—Channel沟道, 30V； 90A； RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
VBNCB1303特性
暂无产品特性。
VBNCB1303应用领域
暂无应用领域。