VBNCB1206
IC
TO-262
可供量大可议
VBNCB1206
TO262； N—Channel沟道, 20V； 95A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-262
库存
10
货期
现货
VBNCB1206参数
| 封装 | TO-262 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBNCB1206概述
TO262； N—Channel沟道, 20V； 95A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.5~2.5V
VBNCB1206特性
暂无产品特性。
VBNCB1206应用领域
暂无应用领域。