VBN1806
IC
TO-262
可供量大可议
VBN1806
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有高性能的N型场效应晶体管， 适用于多种领域和模块。 TO262； N—Channel沟道, 80V； 85A； RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-262
库存
10
货期
现货
VBN1806参数
| 封装 | TO-262 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBN1806概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 具有高性能的N型场效应晶体管， 适用于多种领域和模块。 TO262； N—Channel沟道, 80V； 85A； RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4.5V
VBN1806特性
暂无产品特性。
VBN1806应用领域
暂无应用领域。