VBN165R13S
IC
TO-262
可供量大可议
VBN165R13S
TO262； N—Channel沟道, 650V； 13A； RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-262
库存
5
货期
现货
VBN165R13S参数
| 封装 | TO-262 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBN165R13S概述
TO262； N—Channel沟道, 650V； 13A； RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBN165R13S特性
暂无产品特性。
VBN165R13S应用领域
暂无应用领域。