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VBN165R04
IC

TO-262

可供量大可议

VBN165R04

TO262; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=3~5V

品牌

VBsemi

封装

TO-262

库存

10

货期

现货

VBN165R04参数

封装TO-262
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

VBN165R04概述

TO262; N—Channel沟道, 650V; 4A; RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=3~5V

VBN165R04特性

暂无产品特性。

VBN165R04应用领域

暂无应用领域。

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