VBN1606
IC
TO-262
可供量大可议
VBN1606
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。 TO262； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-262
库存
10
货期
现货
VBN1606参数
| 封装 | TO-262 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBN1606概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。 TO262； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~3.5V
VBN1606特性
暂无产品特性。
VBN1606应用领域
暂无应用领域。