VBMB2610N
IC
TO-220F-3
可供量大可议
VBMB2610N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench技术， 应用于各种电子设备和系统中。 TO220F； P—Channel沟道, -60V； -20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F-3
库存
45
货期
现货
VBMB2610N参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
VBMB2610N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench技术， 应用于各种电子设备和系统中。 TO220F； P—Channel沟道, -60V； -20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBMB2610N特性
暂无产品特性。
VBMB2610N应用领域
暂无应用领域。