VBMB2311
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB2311
TO220F； P—Channel沟道, -30V； -55A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
VBMB2311参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
VBMB2311概述
TO220F； P—Channel沟道, -30V； -55A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBMB2311特性
暂无产品特性。
VBMB2311应用领域
暂无应用领域。