VBMB2102M
IC
TO-220F-3
可供量大可议
VBMB2102M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种领域和模块。 TO220F； P—Channel沟道, -100V； -12A； RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F-3
库存
315
货期
现货
VBMB2102M参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 315 |
VBMB2102M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种领域和模块。 TO220F； P—Channel沟道, -100V； -12A； RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
VBMB2102M特性
暂无产品特性。
VBMB2102M应用领域
暂无应用领域。