VBMB18R09S
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB18R09S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性， 展示了其广泛的应用前景和潜力。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 9A； RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
2
货期
现货
VBMB18R09S参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBMB18R09S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性， 展示了其广泛的应用前景和潜力。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 9A； RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBMB18R09S特性
暂无产品特性。
VBMB18R09S应用领域
暂无应用领域。