VBMB18R07S
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB18R07S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种功率电子应用场景。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
5
货期
现货
VBMB18R07S参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBMB18R07S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET产品， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种功率电子应用场景。 TO220F； N—Channel沟道, 800V； 7A； RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBMB18R07S特性
暂无产品特性。
VBMB18R07S应用领域
暂无应用领域。