VBMB185R05
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB185R05
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道功率MOSFET， 采用了Plannar技术， 适用于高压高功率的应用， 并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。 TO220F； N—Channel沟道, 850V； 5.5A； RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
VBMB185R05参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VBMB185R05概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道功率MOSFET， 采用了Plannar技术， 适用于高压高功率的应用， 并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。 TO220F； N—Channel沟道, 850V； 5.5A； RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBMB185R05特性
暂无产品特性。
VBMB185R05应用领域
暂无应用领域。