VBMB17R10S
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB17R10S
TO220F； N—Channel沟道, 700V； 10A； RDS(ON)=390mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
2
货期
现货
VBMB17R10S参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
VBMB17R10S概述
TO220F； N—Channel沟道, 700V； 10A； RDS(ON)=390mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBMB17R10S特性
暂无产品特性。
VBMB17R10S应用领域
暂无应用领域。