VBMB17R07
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB17R07
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于各种电子领域和模块。 TO220F； N—Channel沟道, 700V； 7A； RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
43
货期
现货
VBMB17R07参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
VBMB17R07概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 采用Plannar技术， 适用于各种电子领域和模块。 TO220F； N—Channel沟道, 700V； 7A； RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2.5~4.5V
VBMB17R07特性
暂无产品特性。
VBMB17R07应用领域
暂无应用领域。