VBMB16R18S
IC
TO-220F
可供量大可议
VBMB16R18S
TO220F； N—Channel沟道, 600V； 18A； RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
1
货期
现货
VBMB16R18S参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
VBMB16R18S概述
TO220F； N—Channel沟道, 600V； 18A； RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V
VBMB16R18S特性
暂无产品特性。
VBMB16R18S应用领域
暂无应用领域。